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工信部印发《重点新材料首批次应用示范引导目录(2019年版)》
类别:政策法规  日期:2019-12-16  来源:  点击率:1776  打印 关闭



 

从工信部网站获悉,为进一步做好重点新材料首批次应用保险补偿试点工作,现发布《重点新材料首批次应用示范引导目录(2019年版)》(工信部原﹝2019254号),自202011日起施行。《重点新材料首批次应用示范引导目录(2018年版)》(工信部原〔2018262号)同时废止。
       附件:《重点新材料首批次应用示范引导目录(2019年版)》(略)

 

《重点新材料首批次应用示范引导目录(2019年版)》玻璃相关部分

先进基础材料

先进无机非金属材料

(一)

特种玻璃及高纯石英制品

156

高纯石英砂

FeMnCrNiCuMgCaAlNaLiKB 12 种元素总含量<6ppm

高品质石英制品

157

半导体用大尺寸高纯石英扩散管

规格:外径300400mm,偏壁厚≤0.6mm,金属杂质含量<13ppm,长期使用温度1150℃

半导体、集成电路

158

光纤预制棒烧结用石英炉管

外径>200mm,长度>2000mm,高温区壁厚偏差±0.5mm, 羟基含量<20ppm,金属杂质含量<20ppm,高温区域的部分应能承受2000℃高温。

光纤预制棒制造

159

光通讯用石英玻璃制品

SiO2含量99.95%,在1100条件下保温2h、透射比变化值不大于4%,双折射I类。

光通讯

160

高品质紫外光学石英玻璃

直径或对角线550mm,光吸取系数2×10-5,光学非均匀性4×10-6,应力5nm/cm,条纹度5级。

高能激光、精密光学、半导体、光电子、光通讯、光学仪器

(二)

绿色建材

161

防污型绝缘材料

憎水性HC1HC2级,污秽耐受电压跟普通釉绝缘子相比,污秽耐受电压≥1.5倍,涂层耐磨性≤0.2g,耐漏电起痕及电蚀损≥TMA4.5级,支柱绝缘子弯曲破坏应力100MPa,悬式绝缘子抗拉强度160kN,使用温度-40105℃,抗拉负荷≥300kN

超特高压输变电设施用防污型绝缘材料:使用温度在-40℃~105℃,抗拉负荷≥300kN,形成3000/年生产能力。

电力装备

162

聚烯烃纳米改性防水隔热卷材

拉伸强度≥13MPa,断裂伸长率≥600%2500h 老化后:拉伸强度≥11MPa,断裂伸长率≥100%,近红外反射比≥80,太阳光反射比≥80,隔热温差≥10℃

环保、建筑

163

热塑性聚烯烃(TPO)防水卷材

1)增强型热塑性聚烯烃(TPO)防水卷材:最大拉力≥250N/cm,最大拉力时伸长率≥15%,低温弯折性-50℃无裂纹,人工气候加速老化7000小时合格;                                                                                                                                                                                                      2)热塑性聚烯烃(TPO)预铺防水卷材:拉力≥600N/50mm,拉伸强度≥12MPa,膜断裂伸长率≥500%,邵氏D硬度(1s读数)为3540

环保、建筑

164

铜铟镓硒太阳能发电组件

设计荷载>6000Pa,燃烧性能等级A,持续运行状况下允许的组件温度-40+85℃,最大系统电压1000V,最大反向电流4A

节能环保、太阳能发电

165

碲化镉发电玻璃

发电转换效率≥13%,面积≥1.92m2

节能环保、太阳能发电

关键战略材料

先进半导体材料和新型显示材料

271

复合膜

附着力等级(GB/T9286-19980级,硬度≥HB,各层剥离力≥60 g/25 mm

新型显示

272

扩散膜

附着力等级0级(GB/T9286-1998),硬度≥H,透光率(上扩散≥90%,下扩散≤90%),雾度(上扩散≤90%,下扩散≥80%),抗静电面表面电阻<1.0×1012 Ohm

新型显示

273

偏光片

光学性能:单体透过率全光谱≥42.5%,单体透过率440nm≥36.5%,单体透过率550nm≥40.5%,单体透过率610nm≥40.5%,偏振度99.9%,表面硬度>3H,尺寸收缩率<0.8%

新型显示

274

量子点膜

色域≥100%NTSC,色域≥100%NTSC,透光率≥40%,雾度≥80%,硬度≥HB

新型显示

275

银反射膜

附着力等级0级(GB/T9286-1998),硬度≥HB,反射率≥95%

新型显示

276

光学级PET基膜

拉伸强度≥150 MPa,断裂伸长率≥100%150 30min纵向收缩率≤0.5%

新型显示

277

增亮膜

辉度增益≥160%,附着力等级0级(GB/T9286-1998),表面铅笔硬度:棱镜面≥HB、背涂面≥HB

新型显示

278

滤光片

1)蓝玻璃红外截止滤光片:透过率AR420~670nmRmax0.9%),UVIR350390nmTavg3%),图案的外围和内径部分四角直线度(毛刺)5μm以内,偏心50μm以内,最外围中心和印刷内径中心的差异在50μm以内、偏心50μm以内;图形胶层厚度10μm以下,透过率Tmax0.2%400650nm),反射率Rmax4%400~650nm)组立件支架的粘着力>3kg/cm; (2)五代彩色滤光片:BM厚度1.2±0.3μmBM OD4.0RGB厚度2.28±0.3μm,导电膜组抗值30Ω/,导电膜厚度1500±200?,角段差<0.5μmPS高度3.15±0.15μm

新型显示

279

新型显示用玻璃基板

1)低温多晶硅(LTPS)基板玻璃:应变点735,退火点790,软化点1030,线热膨胀系数:(3.4~3.9×10-6/,杨氏模量79Gpa550nm处透过率:90%~92%

2)无碱玻璃基板:应变点>655,退火点720~745,软化点970±10,线热膨胀系数(3.0~3.8×10-6/,杨氏模量:72GPa~79Gpa550nm处透过率90%~92%,支撑G8.5代线及以上显示用无碱玻璃基板。

新型显示

280

新型显示用盖板玻璃

锂铝硅盖板玻璃:表面压应力900MPaAl2O317%LiO24%,压应力层厚度DOL80μm;

高铝硅酸盐盖板玻璃:表面压应力>865MPa,压应力层厚度>38μm,透光率(550nm)>92.0%,维氏硬度720HV

新型显示

281

氮化镓单晶衬底

2英寸及以上GaN单晶衬底,位错密度<5×106cm-2,表面粗糙度<0.3nmNGaN单晶衬底电阻率<0.05Ω·cm;半绝缘GaN单晶衬底电阻率>106Ω·cm

电子信息

282

功率器件用氮化镓外延片

4英寸及以上氮化镓外延片,方阻< 400 Ω,二维电子气浓度> 8×1012cm-2,翘曲小于50?m,迁移率> 1500cm2/vs

新型显示

283

电子级多晶硅

符合国标 GB/T12963-2014 要求。电子1级:施主杂质0.15×10-9,受主杂质0.05×10-9

电子 2 级:施主杂质0.25×10-9,受主杂质0.08×10-9; 电子 3 级:施主杂质0.30×10-9,受主杂质0.10×10-9

集成电路、分离器件

284

碳化硅外延片

4英寸及以上碳化硅同质外延片,外延片内浓度不均匀性(σ/mean< 15%,外延片内厚度不均匀性(σ/mean<10%,外延表面缺陷密度<3/cm2,外延表面粗糙度<0.5nm

电子信息

285

碳化硅单晶衬底

4英寸及以上SiC单晶衬底,4H晶型,微管密度<2/cm2TTV<20?m-45?m<bow<45?mwarp<65?m,表面粗糙度Ra0.3nm  NSiC衬底电阻率0.015~0.030Ω·cm,半绝缘SiC衬底电阻率105Ω·cm

电子信息

286

大尺寸硅电极产品

纯度11N(不计调整电阻率而掺入的杂质),外径>300mm,公差±10um,硅电极电阻率60~80ohm·cm,径向电阻率波动10%内,表面粗糙度10nm,硅电极导气微孔均匀性98%,硅电极导气微孔边缘倒角R0.2±0.1mm

集成电路制造

287

电子封装用热沉复合材料

WCuCTE8.6ppm/KTC165W/m·K MoCuCTE10.8ppm/KTC190W/m·K CMCCTE9.4ppm/KTC170W/m·K CPCCTE11.5ppm/KTC200W/m·K

电子通讯、功率芯片、微波射频、集成电路

288

高性能有机发光显示材料

蓝光色度坐标达到CIEy 0.051000cd/m2亮度下,效率>8.5cd/A,寿命LT97250小时;红光色度坐标达到CIEx 0.685000cd/m2亮度下,效率>60cd/A,寿命LT97450小时;绿光色度坐标达到CIEy 0.7010000cd/m2亮度下,效率>160cd/A,寿命LT97400小时。

新型显示

289

4英寸低位错锗单晶

单晶直径104mm,单晶长度120mm,单晶晶向:<100>偏<1119°±1°,导电型号P型,电阻率0.01~0.05Ω·cm,径向电阻率不均匀性15%,位错密度1000/cm2

空间太阳电池

290

UV-LED2寸纳米级图形化衬底

2寸蓝宝石衬底,刻蚀结构为倒锥形凹坑,周期900nm,孔径500nm,孔深300nm

电子电路

291

硅基微阵列透镜

硅基底,口径230um700um,周期250um750um,曲率半径0.3mm1.4mm1.9mm3.1mm4.0mm;厚度300um500um

5G

292

8-12英寸硅单晶抛光片

晶向(100),P型,硼掺杂,电阻率1~100ohm·cm,氧含量<14ppma,大于90nm的颗粒少于80颗。

集成电路

293

8-12英寸硅单晶外延片

产品类型P/P-,掺杂元素硼,外延电阻率 1~20ohm·cm,电阻率梯度小于5%,外延层厚度210?m,厚度均匀性小于3%

集成电路

294

光掩膜版

1G8.5代光掩膜版:基板尺寸1220×1400×13mm,基板表面平坦度20μm,最小图形尺寸0.75μm,产品图形精度≤±0.20μm,总长精度≤±0.5μm,半色调(Half-tone)膜层透过率均匀性2%

2G11代光掩膜版:基板尺寸1620×1780×17 mm,基板表面平坦度20μm,最小图形尺寸0.75μm,产品图形精度≤±0.20μm,总长精度≤±0.5μm,半色调(Half-tone)膜层透过率均匀性2%

新型显示

295

高容及小尺寸MLCC用镍内电极浆料

镍粉0.15~0.20μm,最大粒往径0.5um,固含量55±3%,粘度 10rpm19±2 Pa·s,干膜密度>5,热膨胀系数15±3%(10001200°),能在厚度3?m以下的介质上通过丝印工艺形成精确的外观图形。

电子信息 5G通讯

 

 



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